Risen RSM110-8-580BHDG

580 WHJTTitan0BBBifacial 85%110 cells

Le Risen RSM110-8-580BHDG est un panneau solaire de 580 W avec une technologie de cellules HJT. Ci-dessous se trouvent les spécifications électriques et thermiques vérifiées extraites de la fiche technique du fabricant.

Caractéristiques techniques

Caractéristiques électriques (STC)

Puissance crête (Pmax): : 580 W
Tension en circuit ouvert (Voc): : 41,95 V
Tension au point de puissance max (Vmpp): : 34,86 V
Courant de court-circuit (Isc): : 17,5 A
Courant au point de puissance max (Impp): : 16,64 A
Nombre de cellules: : 110

Température

Coeff. de température Voc: : -0,22 %/°C
Coeff. de température Isc: : 0,047 %/°C
Coeff. de température Pmax: : -0,24 %/°C
Tension max du système: : 1 500 V
Température nominale de cellule (NOCT): : 43 °C
Technologie de cellule: : HJT
Facteur de bifacialité: : 85%
Fusible série max: : 35 A
Tolérance de puissance: : +3%

Dimensions

Longueur: : 2 384 mm
Largeur: : 1 096 mm
Épaisseur: : 30 mm
Poids: : 33 kg

Fiche technique

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Modèle	Puissance	Voc	Isc
RSM110-8-580BHDGActuel	580 W	41.95 V	17.5 A
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